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P+F電感式接近開關(guān)分類齊全

簡要描述:P+F電感式接近開關(guān)分類齊全NBB1.5-8GM50-E2
其中K為霍爾系數(shù),I為薄片中通過的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應(yīng)強度,d是薄片的厚度。

  • 產(chǎn)品型號:NBB1.5-8GM50-E2
  • 廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
  • 更新時間:2025-03-09
  • 訪  問  量:1472

P+F電感式接近開關(guān)分類齊全NBB1.5-8GM50-E2

產(chǎn)品概述:

當(dāng)一塊通有電流的金屬或半導(dǎo)體薄片垂直地放在磁場中時,

薄片的兩端就會產(chǎn)生電位差,這種現(xiàn)象就稱為霍爾效應(yīng)。

兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U,其表達式為

U=K·I·B/d

由此可見,霍爾效應(yīng)的靈敏度低與外加磁場的磁感應(yīng)強度成正比的關(guān)系。

霍爾開關(guān)就屬于這種有源磁電轉(zhuǎn)換器件,

它是在霍爾效應(yīng)原理的基礎(chǔ)上,

利用集成封裝和組裝工藝制作而成,

它可方便的把磁輸入信號轉(zhuǎn)換成實際應(yīng)用中的電信號,

同時又具備工業(yè)場合實際應(yīng)用易操作和可靠性的要求。

工作原理:

電感式接近開關(guān)由三大部分組成:

振蕩器、開關(guān)電路及放大輸出電路。

振蕩器產(chǎn)生一個交變磁場。

當(dāng)金屬目標(biāo)接近這一磁場,

并達到感應(yīng)距離時,

在金屬目標(biāo)內(nèi)產(chǎn)生渦流,

從而導(dǎo)致振蕩衰減,以至停振。

振蕩器振蕩及停振的變化被后級放大電路處理并轉(zhuǎn)換成開關(guān)信號,

觸發(fā)驅(qū)動控制器件,從而達到非接觸式之檢測目的

熱門型號:

NBN4-12GM50-E2

NBN4-12GM50-E0

NBN4-12GM40-Z0

NJ4-12GM40-E2

NBB4-12GM50-E2

NBB4-12GM50-E0

NBB5-18GM50-E2

NBB5-18GM50-E0

NBB5-18GM60-A2

NBB5-18GM60-Z0

P+F電感式接近開關(guān)分類齊全NBB1.5-8GM50-E2


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